99.95%Wスパッタリングターゲット

99.95%Wスパッタリングターゲット

化学組成:w
効果的な純度(%):99.95(3N5)
融点:3407c
密度(g\/cm3):19.35
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説明
技術的なパラメーター
タングステンターゲットを生産するための粉末冶金手法

 

タングステンパウダーを隔離するために真空熱処理炉に入れてから、水素を導入し、脱ガスのために加熱を続けます。
脱ガスされたタングステンパウダーは、真空ホットプレスによって1回焼結されます。
一次焼結の後の生成物は、高温の等吸着性のプレスによって2回焼結されます。
二次焼結の後の製品は、機械的処理によって粉砕され、タングステンターゲット.

 

タングステンターゲット製品の詳細パラメーターテーブル表示

 

密度(g\/cm³)

19.35

沸点(学位)

5657

テクノロジー

真空融解、特許取得済みの熱機械プロセス、および機械作業

応用

半導体、マイクロエレクトロニクスなど

原子量

9.53 cm3\/mol

結晶構造と格子定数

-W:bcc a=3。16524nm(25度)

-W

立方格子A=5。046nm(630度以下の安定)

 

Zhenan Tungstenターゲット製品の詳細
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高純度タングステンスパッタリングターゲット製造
w sputtering target factory
高純度Wスパッタリングターゲット製造
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