ZhenAn は、ターゲット コーティングの堆積速度に影響を与える要因を簡単に説明しますか?

ZhenAn は、ターゲット コーティングの堆積速度に影響を与える要因を簡単に説明しますか?

マグネトロン スパッタリングは、ダイオード スパッタリング ターゲットに適用される特別に形成された磁場を使用して、金属、合金、セラミックなどのさまざまな材料を蒸着できる物理蒸着法です。堆積速度、つまり膜形成速度は、マグネトロン スパッタリング マシンの効率を測定するための重要なパラメータです。作動ガスの種類、作動ガスの圧力、スパッタリングターゲットの温度、磁場の強さなど、多くの要因が堆積速度に影響します。マグネトロン スパッタリング ターゲット コーティングの堆積速度に影響を与える 3 つの重要な要素、つまりスパッタリング電圧、電流、電力です。

スパッタリング電圧
スパッタリング電圧が成膜速度に及ぼす影響はパターンに従います。電圧が高いほどスパッタリング速度は速くなり、この影響はスパッタリング堆積に必要なエネルギー範囲内で徐々に緩やかになります。スパッタリング係数に影響を与える要因の中で、スパッタリングターゲットとスパッタリング電流が最も重要です。ガスの次に重要なのは放電電圧です。一般に、通常のマグネトロンスパッタリングでは、放電電圧が高いほどスパッタリング係数が大きくなり、入射イオンのエネルギーが高くなります。その結果、固体ターゲットからの原子がより容易にスパッタリングされ、基板上に堆積して薄膜を形成します。

スパッタ電流
マグネトロンターゲットのスパッタリング電流はターゲット表面のイオン電流に比例するため、スパッタリングレートに影響を与える重要な要素となります。マグネトロン スパッタリングの一般的な規則は、最適なガス圧力 (ターゲット材料とスパッタリング プロジェクトによって異なります) で堆積速度が最も速くなるということです。したがって、膜品質を損なうことなく、顧客の要求を満たすことなく、スパッタリング収率に基づいて最適なガス圧力が適切になります。スパッタリング電流を変更するには、動作電圧または動作ガス圧力を変更する 2 つの方法があります。

スパッタリング電力 スパッタリング電力が堆積速度に及ぼす影響は、スパッタリング電圧の影響と同様です。一般に、マグネトロンターゲットのスパッタリングパワーを上げると成膜速度を高めることができる。ただし、これは普遍的なルールではありません。マグネトロンターゲットのスパッタ電圧が低く（例えば２００ボルト程度）、スパッタ電流が大きい場合には、平均スパッタパワーは低くないものの、イオンがスパッタされず、蒸着することができない。前提条件は、マグネトロンターゲットに印加されるスパッタリング電圧が十分に高く、カソードとアノードの間の電界における作動ガスイオンのエネルギーがターゲットの「スパッタリングエネルギー閾値」よりも十分に大きいことである。